開(kāi)關(guān)電源TOPSwitch-Ⅱ系列芯片
TOPSwitch-Ⅱ系列芯片的漏極(D)與內(nèi)部功率開(kāi)關(guān)器件MOSFET相連,外部通過(guò)負(fù)載電感與主電源相連,在啟動(dòng)狀態(tài)下通過(guò)內(nèi)部開(kāi)關(guān)式高壓電源提供內(nèi)部偏置電流,并設(shè)有電流檢測(cè)?刂茦O(C)用于占空比控制的誤差放大器和反饋電流的輸入引腳,與內(nèi)部并聯(lián)穩(wěn)壓器連接,提供正常工作時(shí)的內(nèi)部偏置電流,同時(shí)也是提供旁路、自動(dòng)重起和補(bǔ)償功能的電容連接點(diǎn)。源極(S)與高壓功率回路的MOSFET的源極相連,兼做初級(jí)電路的公共點(diǎn)與參考點(diǎn)。內(nèi)部輸出極MOSFET的占空比隨控制引腳電流的增加而線性下降,控制電壓的典型值為5.7 V,極限電壓為9 V,控制端最大允許電流為100 mA。
在設(shè)計(jì)時(shí)還對(duì)閾值電壓采取了溫度補(bǔ)償措施,以消除因漏源導(dǎo)通電阻隨溫度變化而引起的漏極電流變化。當(dāng)芯片結(jié)溫大于135℃時(shí),過(guò)熱保護(hù)電路就輸出高電平,關(guān)斷輸出極。此時(shí)控制電壓Vc進(jìn)入滯后調(diào)節(jié)模式,Vc端波形也變成幅度為4.7V~5.7V的鋸齒波.若要重新啟動(dòng)電路,需斷電后再接通電路開(kāi)關(guān),或者將Vc降至3.3V以下,再利用上電復(fù)位電路將內(nèi)部觸發(fā)器置零,使MOSFET恢復(fù)正常工作。
采用TOPSwitch-Ⅱ系列設(shè)計(jì)單片開(kāi)關(guān)電源時(shí)所需外接元器件少,而且器件對(duì)電路板布局以及輸入總線瞬變的敏感性大大減少,故設(shè)計(jì)十分方便,性能穩(wěn)定,性價(jià)比更高。
對(duì)于芯片的選擇主要考慮輸入電壓和功率。由設(shè)計(jì)要求可知,輸入電壓為寬范圍輸入,輸出功率不大于10W,故選擇TOP222G。
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