超低功率或許超高功率開關(guān)電源|穩(wěn)壓器的電感,并不象通常開關(guān)電源那樣簡略挑選。當前慣例的電感都是為一些干流規(guī)劃所制作,并不能極好地滿意一些特別規(guī)劃。這篇文章首要評論超低功率、超高功率Buck電路的電感挑選疑問。典型使用實例即是小體積電池長期供電設(shè)備。在這種電路中,讓工程師感到扎手的疑問首要是電池容量(本錢與體積)與Buck電路體積、功率之間的對立。為了減小開關(guān)電源的體積,最佳挑選盡能夠高的開關(guān)頻率�？墒情_關(guān)損耗以及輸出電感的損耗會跟著開關(guān)頻率的進步而增大,而且很有能夠變成影響功率的首要因素,正是這些對立大大進步了電路規(guī)劃的難度。
　　Buck電路的電感需求
　　對工程師而言,鐵磁性元件(電感)能夠是最早觸摸的非線性器材�？墒且罁�(jù)制作商供給的數(shù)據(jù),很難猜測電感在高頻時的損耗。因為制作商通常只供給比方開路電感、作業(yè)電流、飽滿電流、直流電阻以及自激頻率等參數(shù)。關(guān)于大多數(shù)開關(guān)電源規(guī)劃來說,這些參數(shù)現(xiàn)已滿足了,而且依據(jù)這些參數(shù)挑選適宜的電感也十分簡略�？墒�,關(guān)于超低電流、超高頻率開關(guān)電源來說,電感磁芯的非線性參數(shù)對頻率十分靈敏,其次,頻率也決議了線圈損耗。
　　關(guān)于通常開關(guān)電源,有關(guān)于直流I2R損耗來說,磁芯損耗簡直能夠忽略不計。所以通常狀況下,除了“自激頻率“這個與頻率有關(guān)的參數(shù)外,電感簡直沒有其他與頻率有關(guān)的參數(shù)。可是,關(guān)于超低功率、超高頻率體系(電池供電設(shè)備),這些高頻損耗(磁芯損耗和線圈損耗)通常會遠遠大于直流損耗。
　大多數(shù)磁芯由粉狀磁性資料和陶瓷等粘合資料構(gòu)成。一個未使用過的磁芯能夠簡略地幻想成由一層薄薄的粘合資料包裹、彼此獨立、具有隨機方向性的很多磁針。因為當前還沒有能夠極好解說磁芯損耗的共同模型,所以選用上述這個經(jīng)歷模型解說磁芯損耗,在這篇文章結(jié)尾的參閱文獻中有更深化的磁芯模型,供讀者參閱。
　　磁性方向近似的附近磁針會彼此影響,然后構(gòu)成“聯(lián)盟”。盡管這些磁針由粘合資料包裹,物理上彼此獨立,但它們之間的磁場是彼此相關(guān)的。咱們稱這些“聯(lián)盟”為“單元”。而單元的鴻溝即是內(nèi)部“聯(lián)盟”與外部磁針的切割面。在單元的鴻溝外的磁針比較難與鴻溝內(nèi)的“聯(lián)盟”聯(lián)合。咱們稱這些鴻溝為“單元壁”,這個模型常用來解說磁芯的許多基本參數(shù)。
　　在對磁芯施加磁場時(對線圈施加電流),方向不一樣的單元彼此之間有相關(guān)。當滿足強的電流構(gòu)成外加磁場時,那些接近線圈的單元所在的磁場更強,會首要構(gòu)成聯(lián)合(更大的單元)。而此刻處在深一層的單元還未遭到磁場的影響。聯(lián)合起來的單元與未遭到影響的單元之間的單元壁會在磁場的效果下,持續(xù)向磁芯中間移動。假如線圈中的電流不吊銷或翻轉(zhuǎn)的話,整個磁芯都將會聯(lián)合在一起。整個磁芯的磁針聯(lián)合在一起,咱們稱為“飽滿”。電感制作商給出的B-H磁滯回線正表明磁芯從被磁化的初始期間到飽滿期間的進程。假如將電流削弱,那么單元就會向自在的初始態(tài)轉(zhuǎn)變,可是有些單元會持續(xù)堅持聯(lián)合的狀況。這種不完全的轉(zhuǎn)化即是剩磁(能夠在磁滯回線中看出)。這種剩磁表象就會鄙人一次單元結(jié)合時體現(xiàn)為應力,致使磁芯損耗。
　　每個周期內(nèi)的磁滯損耗為：
　　WH=mH×dI
　　式中積分為磁滯回線中的包含面積,磁芯從初始電感量到峰值電感量,再回到初始電感量的整個進程。而在開關(guān)頻率為F時的能量損耗為：
　　PH = F×mH×dI
　　核算這些溝通損耗看起來好像簡略�？墒窃诟哳l、中等通流密度下,狀況將反常雜亂。每個電路都存在一些對磁芯損耗有影響的參數(shù),而這些參數(shù)通常都很難量化。比方：離散電容、pcb規(guī)劃、驅(qū)動電壓、脈沖寬度、負載狀況、輸入輸出電壓等。意外的是,磁芯損耗受這些參數(shù)影響很嚴重。
　　每個磁芯資料都有能致使損耗的非線性電導率。正是這個電導率,會因為外加磁場而在磁芯內(nèi)部誘發(fā)會發(fā)生損耗 “渦電流”。在安穩(wěn)磁通量下,磁芯損耗大致與頻率n次方成正比。其間指數(shù)n會隨磁芯資料以及制作技術(shù)不一樣而不一樣。通常的電感制作商會經(jīng)過磁芯損耗曲線擬合出經(jīng)歷的近似公式。
 
　　電感參數(shù)
　　磁感應強度B在正激開關(guān)電路中能夠由下式表明：
　　Bpk = Eavg/(4×A×N×f)
　　式中Bpk為尖峰溝通通流密度(Teslas);Eavg為每半周期均勻溝通電壓;A為磁芯橫截面積(平方米);N為線圈匝數(shù);f為頻率(赫茲)。
　　通常來講,磁性資料制作商會評價磁芯的額外電感系數(shù)－AL。經(jīng)過AL能夠很簡略的核算出電感量。
　　L = N2AL
　　其間AL與磁性資料的摻雜度成正比,也與磁芯的橫截面積除以磁路長度成正比。磁芯的總損耗等于磁芯的體積乘以Bpk乘以頻率,單位為瓦特/立方米。其與制作資料與制作技術(shù)息息有關(guān)。
　　線圈損耗包含直流I2R損耗和溝通損耗。其間,溝通損耗首要是因為趨膚效應和附近效應所致使。趨膚效應是指跟著頻率的進步移動的電荷越來越趨于導體外表活動,相當于減小了導體導電的橫截面積,進步了溝通阻抗。比方：在2MHz頻率,導體導電深度(從導體外表筆直向下)大約只要0.00464厘米。這就致使電流密度下降到本來的1/e (大約0.37)。附近效應是指電流在電感相鄰導線所發(fā)生的磁場會彼此影響,然后致使所謂的“擁堵電流”,也會進步溝通阻抗。關(guān)于趨膚效應,能夠經(jīng)過多芯電線(同一根導線內(nèi)含多根細導線)適度減輕。關(guān)于那些溝通電流紋波遠小于直流電流的電路,多芯電線能夠有用下降電感的總損耗。
　　磁芯損耗首要是因為磁滯表象以及磁芯內(nèi)部傳導率或其他非線性參數(shù)的互感發(fā)生。在Buck拓撲布局中,榜首象限的B-H磁滯回線對磁芯損耗影響最大。在榜首象限這個部分圖中,磁滯回線顯現(xiàn)了電感從初始電感量過渡到峰值電感量再回到初始電感量的進程。假如開關(guān)電源安穩(wěn)作業(yè)在不接連狀況,磁滯回線會從剩下電感量(Br)過渡到峰值電感量(參閱圖1)。假如開關(guān)電源作業(yè)在接連狀況,那么磁滯回線將會從直流偏置點上升到曲線峰值,再回到直流偏置點。經(jīng)過試驗能夠斷定磁滯回線的準確曲線形狀(基本上是橢圓曲線)。
　磁芯損耗測驗設(shè)備
　　測驗電感功能的最有用辦法即是將被測驗電感放置在結(jié)尾開關(guān)電源電路上,然后對此電路的功率進行丈量。可是,這種測驗辦法需求有結(jié)尾電路,不易選用。如今,有一種相對簡略的測驗辦法,能夠在規(guī)劃開關(guān)電源前對電感的磁芯損耗進行測驗(在其設(shè)定的開關(guān)頻點上)。首要,將磁芯串連放置在低損耗電容介質(zhì)上(比方鍍銀云母)。然后,用一系列共振模驅(qū)動。其間介質(zhì)的電容值需求與被測電感的開關(guān)頻率共同。結(jié)尾選用網(wǎng)絡(luò)分析儀來完結(jié)整個測驗進程(信號發(fā)生器加上一個射頻伏特計或許功率計也能夠完結(jié)測驗)。測驗設(shè)備的布局如圖2所示。
　　在諧振點,低損耗的磁芯能夠當作L-C共振回路。此刻損耗能夠等效為一個純阻元件(包含線圈損耗和磁芯損耗)。在上面的測驗設(shè)備中,端子A和R都連接著50Ω電阻。此設(shè)備的開路(不包含電感)等效為150Ω負載的振蕩器。在網(wǎng)絡(luò)分析儀上能夠表明為：
　　20×Log(A/R) = 20×Log(50/150) = -9.54 dB
　　在這個測驗電路中,諧振電容為2000pF,被測電感大約為2.5mH～2.8mH,測驗頻率為1kHz。其間,磁性資料的浸透率是一個與頻率有關(guān)的非線性函數(shù),在更高的頻點上,測驗成果有能夠不一樣。
　　磁芯損耗試驗數(shù)據(jù)
　　一個相對磁導率為125mr的單層鐵鎳鉬薄片磁芯,外圍環(huán)繞10/44的多芯電線16匝,另一個雙層250摻雜度的鎳鐵鉬磁粉芯,外圍環(huán)繞10/44的多芯電線8匝。電感量測驗值分別為2.75mHy 和 2.78mHy。榜首個電感盡管是16匝,可是橫截面積是第二個電感的一半。在一樣振幅信號的驅(qū)動下,這兩個電感的損耗都很高。等效電阻分別為360Ω 和300Ω。相對的,另一個電感(2.5mHy)選用Micrometals公司的十分低的摻雜資料(羰基T25-6  ,相對磁導率為 8.5)。10/44多芯電線34匝。在相同的驅(qū)動信號下,他的等效損耗電阻為22000Ω。