如何正確判斷通信開關(guān)電源的優(yōu)劣
通信開關(guān)電源技術(shù)屬于電力電子技術(shù),它運用功率變換器進行電能變換,因而從功率器件的類型上很容易推斷出產(chǎn)品大致的研發(fā)年代。我們知道,大功率硅整流管和晶閘管出現(xiàn)于20世紀60年代;大功率逆變用的晶閘管、巨型功率晶體管(GTR)和門極可關(guān)斷晶閘管(GTO)的生產(chǎn)年代在20世紀70年代;功率場效應(yīng)管(MOSFET)出現(xiàn)于20世紀80年代;絕緣柵雙極晶體管 (IGBT)則是出現(xiàn)于20世紀90年代的器件。這里需要說明的是,功率場效應(yīng)管由于單極性多子導(dǎo)電,顯著地減小了開關(guān)時間,所以很容易地達到1MHz的開關(guān)工作頻率。但是功率場效應(yīng)管要提高器件阻斷電壓必須加寬器件的漂移區(qū),結(jié)果使器件內(nèi)阻迅速增大,器件的通態(tài)壓降增高,通態(tài)損耗增大。絕緣柵極雙極晶體管在結(jié)構(gòu)上類似于功率場效應(yīng)管,其不同點在于絕緣柵極雙極晶體管是在N溝道功率場效應(yīng)管的N+基板(漏極)上增加了一個P+基板(絕緣柵極雙極晶體管的集電極),這一點改進就使得絕緣柵極雙極晶體管具有一系列的突出優(yōu)點:正向偏置,輸入阻抗高,導(dǎo)通電阻低,耐壓高,安全工作區(qū)大以及開關(guān)速度高等。 看功率器件的封裝也能簡單判別通信電源的優(yōu)劣。管芯直接焊接在基板上,可以提高散熱效率,降低寄生電感、電容和熱阻。不是直接焊接在基板上的產(chǎn)品,就比較差了。
二、電路原理
。保 要看它采用硬開關(guān)技術(shù)還是軟開關(guān)技術(shù)。由LC無源元件和快恢復(fù)二極管組成的各種無耗緩沖電路,改變了開關(guān)管的開關(guān)過渡過程,使開關(guān)電壓、電流的改變不是突變的(即硬開關(guān))而是緩變的(即軟開關(guān)),從而顯著地減小了功率器件的開關(guān)損耗,提高系統(tǒng)的開關(guān)頻率,降低變換器的體積和重量,減少系統(tǒng)的輸出紋波,并且可以克服變換電路對寄生分布參數(shù)的敏感性,降低系統(tǒng)的開關(guān)噪音,展寬系統(tǒng)的頻帶,改善系統(tǒng)的動態(tài)性能。
2.要看它采用變頻控制(PFM)還是恒頻控制(PWM)。恒頻控制(又稱相移控制)方式要優(yōu)于變頻控制方式。相移控制的全橋變換電路,綜合恒頻控制技術(shù)和軟開關(guān)技術(shù)的優(yōu)點,在大范圍內(nèi)實現(xiàn)恒頻控制,實現(xiàn)輸出電壓或電流的大范圍無級調(diào)節(jié),在功率器件換流瞬間,實現(xiàn)零電壓開關(guān)換流。
。常β室驍(shù)校正技術(shù)可以抑制電網(wǎng)側(cè)諧波電流,減少無功功率,從而改善功率因數(shù),同時降低電源高次諧波產(chǎn)生的噪音和污染,達到節(jié)能目的。
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