電源轉(zhuǎn)換器實(shí)現(xiàn)高性能電源管理

為工業(yè)、網(wǎng)絡(luò)/通信及最新的消費(fèi)類(lèi)應(yīng)用設(shè)計(jì)負(fù)載點(diǎn)系統(tǒng)的工程師必須不斷地確保設(shè)計(jì)上的許多權(quán)衡;诜至⒔鉀Q方案衡量器件的優(yōu)劣之處并將其與集成型解決方案進(jìn)行比較,成為最近較為重要的權(quán)衡方法之一,因?yàn)槊糠N選擇都控制方法

  圖1所示為電感電流連續(xù)流動(dòng)的連續(xù)傳導(dǎo)工作模式。輸出電壓經(jīng)分壓器R1與R2分壓后由反饋引腳FB讀取,并通過(guò)低增益跨導(dǎo)(gm)放大器在誤差比較器上與0.8V參考電壓VREF進(jìn)行比較。如果反饋電壓下降且gm放大器輸出低于0.8V,則誤差比較器將觸發(fā)控制邏輯,生成一個(gè)導(dǎo)通時(shí)間周期。導(dǎo)通時(shí)間周期長(zhǎng)度將由固定tON估計(jì)電路預(yù)先確定:
  其中,VOUT為輸出電壓,VIN為功率級(jí)輸入電壓,fSW為開(kāi)關(guān)頻率。
圖1:MIC26XXX系列內(nèi)部模塊圖。


  在導(dǎo)通時(shí)間周期完成后,內(nèi)部高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器將關(guān)斷高壓側(cè)MOSFET,而低壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器將導(dǎo)通低壓側(cè)MOSFET。在大多數(shù)情形下,關(guān)斷時(shí)間周期長(zhǎng)度取決于反饋電壓。當(dāng)反饋電壓降低且gm放大器輸出低于0.8V時(shí),將觸發(fā)導(dǎo)通時(shí)間周期,此時(shí)關(guān)斷時(shí)間周期結(jié)束。如果反饋電壓決定的關(guān)斷時(shí)間周期小于最小關(guān)斷時(shí)間tOFF(min),則控制邏輯將用tOFF(min)來(lái)取代。tOFF(min)是在升壓電容(CBST)中維持足夠的能量來(lái)驅(qū)動(dòng)高壓側(cè)MOSFET時(shí)所必需的時(shí)間。從tOFF(min)獲得的最大占空比為:

    ,其中tS=fSW。

  在穩(wěn)態(tài)工作時(shí),最好不要使器件的關(guān)斷時(shí)間接近tOFF(min)。另外,在像24V到1.0V的高VIN到VOUT應(yīng)用中,最小tON會(huì)導(dǎo)致較低的開(kāi)關(guān)頻率。在負(fù)載瞬變過(guò)程之中,由于關(guān)斷時(shí)間變化,開(kāi)關(guān)頻率也將改變。

  為更好地解釋控制環(huán)路工作情況,現(xiàn)在將穩(wěn)態(tài)與負(fù)載的瞬態(tài)情況都討論一下。為了便于分析,假設(shè)gm放大器增益為1,這樣,誤差比較器的反向輸入與反饋電壓相同。

  圖2為穩(wěn)態(tài)工作時(shí)的控制環(huán)路時(shí)序。穩(wěn)態(tài)時(shí),gm放大器通過(guò)檢測(cè)反饋電壓紋波(此紋波與輸出電壓紋波及電感電流紋波成比例),來(lái)觸發(fā)導(dǎo)通時(shí)間周期。導(dǎo)通時(shí)間由tON估計(jì)電路預(yù)定,關(guān)斷時(shí)間終止由反饋電壓控制。在反饋電壓紋波的底部(VFB下降到低于VREF時(shí)產(chǎn)生),關(guān)斷周期結(jié)束,控制邏輯電路觸發(fā)下一個(gè)導(dǎo)通周期。

圖2:穩(wěn)態(tài)響應(yīng)。
  圖3a與3b顯示了傳統(tǒng)PWM控制拓?fù)渑c麥瑞半導(dǎo)體Hyper Speed控制拓?fù)涞呢?fù)載瞬變工作情況。在標(biāo)準(zhǔn)的PWM控制方法中,負(fù)載瞬變時(shí),占空比將增加,并且在維持開(kāi)關(guān)頻率相對(duì)不變的同時(shí),輸出需要一個(gè)完整的開(kāi)關(guān)周期來(lái)響應(yīng)。使用Hyper Speed控制拓?fù),開(kāi)關(guān)頻率將在負(fù)載瞬變過(guò)程中改變,而一旦輸出穩(wěn)定在新的負(fù)載電流水平,則將恢復(fù)標(biāo)稱(chēng)固定頻率。由于占空比和開(kāi)關(guān)頻率發(fā)生變化,因此輸出恢復(fù)時(shí)間很快,并且輸出電壓偏差小到可以忽略不計(jì)。
圖3:PWM控制拓?fù)渑cHyper Speed控制拓?fù)涞呢?fù)載瞬態(tài)相應(yīng)情況對(duì)比。
SuperSwitcher II系列使用輸出電壓紋波來(lái)觸發(fā)導(dǎo)通時(shí)間周期。這與真正的電流模式PWM控制有極大不同。如果輸出電容的ESR(等效串聯(lián)電阻)足夠大,則輸出電壓紋波將與電感電流紋波成比例,見(jiàn)圖4和圖5?刂骗h(huán)路具有無(wú)需斜坡補(bǔ)償?shù)暮锰帯?/P>

有其需要權(quán)衡之處。此外,工程師還必須考慮將此選擇設(shè)計(jì)到應(yīng)用及將產(chǎn)品投放到市場(chǎng)所需的時(shí)間。最后,系統(tǒng)可靠性、高密度及單一供應(yīng)商能力也都是在選擇電源轉(zhuǎn)換器時(shí)的重要考慮因素
  除上述所有考慮之外,負(fù)載點(diǎn)系統(tǒng)工作在低占空比時(shí)所需的兩級(jí)功率轉(zhuǎn)換將會(huì)占用許多昂貴的電路板空間和電能,因?yàn)樗鼘a(chǎn)生兩組級(jí)間轉(zhuǎn)換損耗。本文將對(duì)設(shè)計(jì)人員所面臨的權(quán)衡類(lèi)型以及特定解決方案的優(yōu)點(diǎn)進(jìn)行討論。

  節(jié)省昂貴的電路板空間和電能

  節(jié)省電路板空間和電能最有效的一種方法就是在降低輸出電容的同時(shí),去除昂貴的外部元器件。麥瑞半導(dǎo)體公司(Micrel)的SuperSwitcher II系列提供了一種可供考慮的解決方案,它在尺寸僅為5mm×6mm的QFN封裝中集成了高密度的MOSFET和高性能同步PWM控制器。已獲專(zhuān)利的超高速控制(Hyper Speed Control)架構(gòu)可在降低輸出電容的同時(shí),獲得超快速的瞬態(tài)響應(yīng),該解決方案也使(高VIN)/(低VOUT)運(yùn)作成為了可能。這一寬范圍輸入的DC-DC轉(zhuǎn)換器系列是許多工業(yè)、網(wǎng)絡(luò)/通信及高端消費(fèi)類(lèi)應(yīng)用的極佳選擇。SuperSwitcher II系列可以消除對(duì)外部補(bǔ)償元件的需求,使設(shè)計(jì)變得更加緊湊、可靠且成本更低。

  其他器件使用的是標(biāo)準(zhǔn)電壓模式和電流模式控制拓?fù)洌溔鸢雽?dǎo)體SuperSwitcher II系列采用的卻是已獲專(zhuān)利的Hyper Speed Control控制架構(gòu)。這種控制拓?fù)涫褂帽容^器替代傳統(tǒng)的誤差放大器來(lái)開(kāi)啟和關(guān)閉轉(zhuǎn)換器,這可以使外部補(bǔ)償環(huán)路運(yùn)行更順暢,并避免與標(biāo)準(zhǔn)控制方案相關(guān)的一些問(wèn)題。這些DC-DC轉(zhuǎn)換器具有一個(gè)變量控制環(huán)路,它可以逐周期地根據(jù)輸入/輸出電壓來(lái)動(dòng)態(tài)調(diào)整導(dǎo)通時(shí)間。這意味著轉(zhuǎn)換器是以準(zhǔn)固定頻率(pseudo-fixed frequency)模式工作。只要將開(kāi)關(guān)頻率偏差保持在其標(biāo)稱(chēng)頻率的±20%以?xún)?nèi),即可獲得極易預(yù)測(cè)的EMI特性,這使得濾波和其它抑制技術(shù)實(shí)現(xiàn)起來(lái)更為輕松,同時(shí),其實(shí)現(xiàn)成本也將更為低廉。

  SuperSwitcher II系列DC-DC轉(zhuǎn)換器可在任何電容器(Any Capacitor)下穩(wěn)定工作,與陶瓷或電解輸入/輸出電容均能很好搭配,這為繁忙的設(shè)計(jì)人員提供了更多的靈活性和更低的BOM成本。

  設(shè)計(jì)靈活性

  MIC2XXXX系列具有從4.5V至75V的寬范圍輸入電壓,并能提供低至0.8V的輸出電壓,該系列產(chǎn)品針對(duì)300kHz開(kāi)關(guān)頻率下5/7/12A輸出負(fù)載電流而設(shè)計(jì)。該器件采用散熱增強(qiáng)型封裝,高度僅為0.85mm,可安裝于母板背面,因此是空間受限及高密度應(yīng)用的理想選擇。這些DC-DC轉(zhuǎn)換器具有可擴(kuò)展的通用外形,因此,設(shè)計(jì)人員僅需簡(jiǎn)單地 “剪切和粘貼”便可完成設(shè)計(jì),從而可以大幅降低風(fēng)險(xiǎn)并加速產(chǎn)品上市時(shí)間,這對(duì)于迅速發(fā)展的中國(guó)市場(chǎng)而言是一項(xiàng)關(guān)鍵的設(shè)計(jì)考慮因素。

為滿(mǎn)足穩(wěn)定性要求,反饋電壓紋波必須與電感電流紋波同相。它還必須大到足夠讓gm放大器和誤差比較器檢測(cè)到。推薦的反饋電壓紋波為20mV~100mV。如果選用具有低ESR的輸出電容,則反饋電壓紋波可能太小而無(wú)法被gm放大器和誤差比較器檢測(cè)。此外,如果輸出電容ESR太低,則輸出電壓紋波和反饋電壓紋波并不一定會(huì)與電感電流紋波同相。在這些情況下,則必須采用紋波注入的方法來(lái)確保正常工作。見(jiàn)圖6和圖7。
圖6:瞬態(tài)響應(yīng)。
圖7:效率與輸出電流關(guān)系圖。
  本文小結(jié)
  綜上所述,對(duì)于負(fù)載點(diǎn)應(yīng)用和需要高性能復(fù)雜電源管理的產(chǎn)品而言,麥瑞半導(dǎo)體的SuperSwitcher II系列強(qiáng)化了自適應(yīng)導(dǎo)通時(shí)間(AOT)控制架構(gòu)的優(yōu)點(diǎn)。這些DC-DC轉(zhuǎn)換器結(jié)合了尺寸小、效率高、瞬態(tài)響應(yīng)超快和功率密度及設(shè)計(jì)靈活性高的特色,將幫助電源設(shè)計(jì)人員縮短設(shè)計(jì)周期以滿(mǎn)足業(yè)界最嚴(yán)苛的上市時(shí)間需求。

 


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